盖世汽车讯 据外媒报道，富士通半导体存储器解决方案（Fujitsu Semiconductor Memory Solution）公司宣布开始量产4Mbit FRAM（铁电随机存取存储器）MB85RS4MTY，可在125°C高温下运行。
（图片来源：富士通）
该FRAM产品符合AEC-Q1001级汽车标准，非常符合工业机器人和汽车应用，例如需要高可靠性电子元件的高级驾驶辅助系统（ADAS）。
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FRAM是一种非易失性存储器产品，其读写耐久性高、写入速度快，且功耗低，并已量产20多年。而这种带有SPI接口的FRAM在可1.8V至3.6V的宽电源电压下运行。在-40°C至+125°C的温度范围内，该FRAM可保证10万亿次读/写周期和低工作电流，例如最大4mA的写入电流（工作频率为50MHz）。此外，该产品还采用8引脚DFN（Dual Flatpack No-leaded，双扁平无引线）封装。
该FRAM产品可解决在高可靠性应用中使用EEPROM（电可擦除只读存储器）或SRAM（静态随机存取存储器）产生的一系列问题。如在在使用EEPROM时，由于写耐久性规范的限制，用户难以频繁记录数据，但使用FRAM可保证10万亿读/写周期，同时还可以在发生突发事故或停电时，保护写入的数据，避免数据丢失；使用SRAM时，会难以取出电池保留数据，但使用FRAM非易失性存储器，可以有效保留数据。
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总之，该FRAM不仅可以帮助客户减轻开发负担、增强客户产品性能，还可降低成本。
